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盘点内增益的紫外探测器及制备专利

 
 
 
申请(专利)号:CN200810041159.2申请日:2008.07.30
公开(公告)号:CN101335308公开(公告)日:2008.12.31
主分类号:H01L31/107(2006.01)I范畴分类:
分类号:H01L31/107(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
优先权:
申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所
地址:200083上海市玉田路500号
国省代码:上海;31
发明(设计)人:王玲;许金通;袁永刚;包西昌;张文静;李超;张燕;李向阳
国际申请:
国际公布:
进入国家日期:
专利代理机构:上海新天专利代理有限公司
代理人:郭英
分案申请号:
颁证日:

内增益紫外探测器


摘要:
本发明公开了一种具有内增益的紫外探测器及其制备方法。它通过多次表面处理、双次钝化而减小大反偏电压下的暗电流,提高器件的大反偏电压下性能。利用这种方法得到的探测器具有稳定的内增益,可以达到被探测信号在探测器内部被放大的目的,整个测试系统的信噪比也被相应的提高。本发明涉及的探测器具有p-i-n结构,其制备方法包括刻蚀台面、电极生长、钝化层的制备等。相对于普通GaN基紫外探测器,本发明所提供的器件具有内增益,暗电流小,性能稳定,制备工艺简单,探测信噪比高,可以对弱紫外信号进行探测等优点。
主权项:
一种具有内增益的紫外探测器,它由衬底(1)、缓冲层(2)、三层外延材料层(3、4、5)、P型接触电极(6)、n型接触电极(8)、第一钝化层(7)、第二钝化层(9)、加厚电极(10)和互联电极(11)构成,其特征在于:
a.衬底(1)采用的材料是双面抛光的蓝宝石、Si或SiC;
b.缓冲层(2)是在衬底(1)上通过外衍生长的氮化铝或氮化镓缓冲层薄膜,厚度为0.5um至3um;
c.外延材料层(3)是n-AlxGa1-xN:Si(0<x<1),它的厚度为0.1um至0.3um,掺杂浓度为1016/cm3~1018/cm3;
d.外延材料层(4)是i-GaN,它的厚度为0.1um至0.6um,载流子浓度为~1015/cm3;
e.外延材料层(5)是p-GaN:Mg,它的厚度为0.5um至1um,掺杂浓度为1018/cm3~1019/cm3;
f.第一钝化层(7)和第二钝化层(9)是利用PECVD技术生长的SiO2或Si3N,第一钝化层(7)的厚度为1500埃至2500埃,第二钝化层(9)的厚度为800埃至1000埃;
g.P型接触电极(6)是电子束蒸发淀积的Ni/Au/Ni/Au;
h.n型接触电极(8)为电子束蒸发淀积的Ti/Al/Ti/Au;
i.加厚电极(10)和互联电极(11)是淀积生长的金属为Cr/Au。http://www.zgyqcp.cn 
 
 
 

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